{"id":11708,"date":"2026-05-25T11:48:04","date_gmt":"2026-05-25T10:48:04","guid":{"rendered":"https:\/\/in-wheel.com\/?page_id=11708"},"modified":"2026-05-26T09:34:17","modified_gmt":"2026-05-26T08:34:17","slug":"ipcei_licensing_contact","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/in-wheel.com\/sl\/ipcei_licensing_contact\/","title":{"rendered":"IPCEI_licensing_Contact"},"content":{"rendered":"

Rezultati, dostopni za licenciranje<\/span><\/span><\/p>

Mikro-Elektronika za Elektri\u010dna Vozila (MEEV)<\/span><\/span><\/h1>

Rezultati projekta IPCEI ME\/CT, ki ga je v obdobju 1. 1. 2023 \u2013 30. 6. 2026 izvajalo podjetje ELAPHE pogonske tehnologije d.o.o., so kot zaveza iz sheme dr\u017eavne pomo\u010di na voljo zainteresiranim podjetjem v Evropskem gospodarskem prostoru za licenciranje po tr\u017eni ceni.<\/p>\n<\/div><\/div>

\"\"<\/div><\/div>
<\/div><\/div>

Zakaj licencirati Elaphe tehnologijo?<\/span><\/span><\/h2>

Elaphe je vodilno podjetje na podro\u010dju integriranega pogonskega sistema za elektri\u010dna vozila. V okviru projekta MEEV (Mikro-Elektronika za Elektri\u010dna Vozila), dela evropske pobude IPCEI ME\/CT, smo razvili napredno polprevodni\u0161ko tehnologijo \u2014 GaN mo\u010dnostno elektroniko in serijo GaAs \u010dipov \u2014 ki bistveno izbolj\u0161uje u\u010dinkovitost, kompaktnost in zmogljivost pogonskih sistemov.<\/p>\n

Razvita tehnologija je za\u0161\u010ditena s pravicami intelektualne lastnine. Vsem zainteresiranim podjetjem v Evropskem gospodarskem prostoru ponujamo licenco po tr\u017eni ceni na neizklju\u010dni in nediskriminatorni podlagi. Kontaktirajte nas in skupaj najdemo ustrezno licen\u010dno re\u0161itev za va\u0161e potrebe.<\/p>\n<\/div><\/div>

<\/div><\/div>

Tehnologije, ki jih ponujamo<\/span><\/span><\/h2>

Podprojekt 1 \u00b7 Rezultat 1<\/p>\n<\/div><\/div>

<\/div>

Prototip GaN mo\u010dnostne elektronike<\/span><\/span><\/h2>

Mo\u010dnostna elektronika za vodenje kolesnih elektromotorjev, zasnovana na tranzistorjih s \u0161irokim prepovedanim pasom (GaN). Omogo\u010da bistveno vi\u0161je preklopne frekvence (cilj: 60 kHz, primerjava: 16 kHz pri klasi\u010dni Si tehnologiji), vi\u0161ji izkoristek pogonskega sklopa ter manj\u0161o maso in volumen sistema.<\/p>\n<\/div><\/div>

<\/div><\/div>

Maturity level: validated prototype <\/strong>\u00b7 IP: patent in the field of electronics design\/software code<\/strong><\/p>\n<\/div><\/div><\/div><\/div><\/div>

Podprojekt 2 \u00b7 Rezultat 2<\/p>\n<\/div><\/div>

<\/div>

Prototipna serija GaAs \u010dipov \u2013 geometrija \u0161t. 1<\/span><\/span><\/h2>

Podalj\u0161ana elektroda vrat<\/p>\n

Galijev-arzenidni polprevodni\u0161ki \u010dip za termoelektri\u010dne pretvornike, namenjen pretvorbi odpadne toplote nazaj v koristno elektri\u010dno energijo. Ciljne lastnosti: tok pu\u0161\u010danja skozi krmilno elektrodo 30 %, ohmski kontakti z upornostjo pod 50 \u03a9.<\/p>\n<\/div><\/div>

<\/div><\/div>

Maturity level: manufactured and characterized series – suitable for further development<\/strong> \u00b7 IP: registration of semiconductor circuit topography in the register of protected topographies<\/strong><\/p>\n<\/div><\/div><\/div><\/div><\/div><\/div>

Podprojekt 2 \u00b7 Rezultat 3<\/p>\n<\/div><\/div>

<\/div>

Prototipna serija GaAs \u010dipov \u2013 geometrija \u0161t. 2<\/span><\/span><\/h2>

Invertirana struktura<\/p>\n

Druga geometrijska zasnova GaAs \u010dipa z invertirano strukturo plasti. V eksperimentalnih serijah je bila preverjena alternativna razporeditev plasti za izbolj\u0161ano modulacijo kanala in zni\u017eanje tokov pu\u0161\u010danja. Maske za foto-litografijo, izdelava in karakterizacija so bili izvedeni v okviru projekta.<\/p>\n<\/div><\/div>

<\/div><\/div>

Maturity level: manufactured and characterized series – suitable for further development<\/strong> \u00b7 IP: registration of semiconductor circuit topography<\/strong><\/p>\n<\/div><\/div><\/div><\/div><\/div>

Podprojekt 2 \u00b7 Rezultat 4<\/p>\n<\/div><\/div>

<\/div>

Prototipna serija GaAs \u010dipov \u2013 geometrija \u0161t. 3<\/span><\/span><\/h2>

Struktura z izolatorjem<\/p>\n

Tretja geometrijska zasnova GaAs \u010dipa z dodano izolatorsko plastjo. Cilj: dolgoro\u010dna stabilnost elektri\u010dnih lastnosti naprave (za\u0161\u010dita pred staranjem \u010dipa) ter optimizirana pretvorba odpadne toplote v koristno energijo z vi\u0161jim izkoristkom kot pri dana\u0161njih napravah na osnovi Seebeckovega pojava.<\/p>\n<\/div><\/div>

<\/div><\/div>

Maturity level: manufactured and characterized series – suitable for further development<\/strong> \u00b7 IP: registration of semiconductor circuit topography<\/strong><\/p>\n<\/div><\/div><\/div><\/div><\/div><\/div>

<\/div><\/div>

Ve\u010d o projektu IPCEI ME\/CT<\/span><\/span><\/h2>

Elaphe \u2013 stran o projektu IPCEI ME\/CT (opis, rezultati, financiranje)<\/span><\/a><\/p>\n

Uradna spletna stran IPCEI ME\/CT<\/span><\/a><\/p>\n

Na\u010drt za okrevanje in odpornost \u2013 www.noo.gov.si<\/span><\/a><\/p>\n<\/div><\/div>

<\/div><\/div>

Zaprosite za licenco<\/span><\/span><\/h2>

Zanima vas licenciranje na\u0161e tehnologije? Izpolnite obrazec in na\u0161 strokovnjak vas bo kontaktiral v roku enega tedna z vsemi podrobnostmi o licen\u010dnih pogojih.<\/p>\n<\/div><\/div>\n\t

\n\t\t
\n\t\t\t\t