Rezultati, dostopni za licenciranje

Mikro-Elektronika za Električna Vozila (MEEV)

Rezultati projekta IPCEI ME/CT, ki ga je v obdobju 1. 1. 2023 – 30. 6. 2026 izvajalo podjetje ELAPHE pogonske tehnologije d.o.o., so kot zaveza iz sheme državne pomoči na voljo zainteresiranim podjetjem v Evropskem gospodarskem prostoru za licenciranje po tržni ceni.

Zakaj licencirati Elaphe tehnologijo?

Elaphe je vodilno podjetje na področju integriranega pogonskega sistema za električna vozila. V okviru projekta MEEV (Mikro-Elektronika za Električna Vozila), dela evropske pobude IPCEI ME/CT, smo razvili napredno polprevodniško tehnologijo — GaN močnostno elektroniko in serijo GaAs čipov — ki bistveno izboljšuje učinkovitost, kompaktnost in zmogljivost pogonskih sistemov.

Razvita tehnologija je zaščitena s pravicami intelektualne lastnine. Vsem zainteresiranim podjetjem v Evropskem gospodarskem prostoru ponujamo licenco po tržni ceni na neizključni in nediskriminatorni podlagi. Kontaktirajte nas in skupaj najdemo ustrezno licenčno rešitev za vaše potrebe.

Tehnologije, ki jih ponujamo

Podprojekt 1 · Rezultat 1

Prototip GaN močnostne elektronike

Močnostna elektronika za vodenje kolesnih elektromotorjev, zasnovana na tranzistorjih s širokim prepovedanim pasom (GaN). Omogoča bistveno višje preklopne frekvence (cilj: 60 kHz, primerjava: 16 kHz pri klasični Si tehnologiji), višji izkoristek pogonskega sklopa ter manjšo maso in volumen sistema.

Maturity level: validated prototype · IP: patent in the field of electronics design/software code

Podprojekt 2 · Rezultat 2

Prototipna serija GaAs čipov – geometrija št. 1

Podaljšana elektroda vrat

Galijev-arzenidni polprevodniški čip za termoelektrične pretvornike, namenjen pretvorbi odpadne toplote nazaj v koristno električno energijo. Ciljne lastnosti: tok puščanja skozi krmilno elektrodo 30 %, ohmski kontakti z upornostjo pod 50 Ω.

Maturity level: manufactured and characterized series – suitable for further development · IP: registration of semiconductor circuit topography in the register of protected topographies

Podprojekt 2 · Rezultat 3

Prototipna serija GaAs čipov – geometrija št. 2

Invertirana struktura

Druga geometrijska zasnova GaAs čipa z invertirano strukturo plasti. V eksperimentalnih serijah je bila preverjena alternativna razporeditev plasti za izboljšano modulacijo kanala in znižanje tokov puščanja. Maske za foto-litografijo, izdelava in karakterizacija so bili izvedeni v okviru projekta.

Maturity level: manufactured and characterized series – suitable for further development · IP: registration of semiconductor circuit topography

Podprojekt 2 · Rezultat 4

Prototipna serija GaAs čipov – geometrija št. 3

Struktura z izolatorjem

Tretja geometrijska zasnova GaAs čipa z dodano izolatorsko plastjo. Cilj: dolgoročna stabilnost električnih lastnosti naprave (zaščita pred staranjem čipa) ter optimizirana pretvorba odpadne toplote v koristno energijo z višjim izkoristkom kot pri današnjih napravah na osnovi Seebeckovega pojava.

Maturity level: manufactured and characterized series – suitable for further development · IP: registration of semiconductor circuit topography

Več o projektu IPCEI ME/CT

Elaphe – stran o projektu IPCEI ME/CT (opis, rezultati, financiranje)

Uradna spletna stran IPCEI ME/CT

Načrt za okrevanje in odpornost – www.noo.gov.si

Zaprosite za licenco

Zanima vas licenciranje naše tehnologije? Izpolnite obrazec in naš strokovnjak vas bo kontaktiral v roku enega tedna z vsemi podrobnostmi o licenčnih pogojih.